🏷️ 標籤：GaN
氮化鎵 是氮和鎵的化合物，是一種III族和V族的直接能隙 的半導體，自1990年起常用在發光二極體中。這種化合物是一種非常堅硬的材料，具有纖鋅礦晶體結構。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電工程中，例如氮化鎵可以用在紫光的雷射二極體，可以在不使用非線性半導體泵浦固體雷射 光學頻率倍增的條件下，產生紫光（405 nm）雷射。\n
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